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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品名稱：SAMCO等離子CVD設(shè)備 PD-2201LC
產(chǎn)品型號：
產(chǎn)品廠商：SAMCO薩姆肯
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簡單介紹：

在廣泛的膜質(zhì)量控制 SiN沉積中，應力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。此外，通過改變氣體流速比，還可以控制折射率。

詳情介紹：

概述

PD-2201LC 是一種用于生產(chǎn)大氣盒式等離子體的等離子 CVD 設(shè)備，用于形成各種硅基薄膜（SiO+、SiN 等）。從托盤輸送同時沉積多個小直徑晶圓，到通過單片晶圓處理實現(xiàn)高均勻的沉積，我們可根據(jù)客戶要求提供廣泛的支持。此外，晶圓單片處理可以更改為真空盒室，無需打開盒式室即可連續(xù)處理。

特點

在廣泛的膜質(zhì)量控制
SiN沉積中，應力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。此外，通過改變氣體流速比，還可以控制折射率。

緊湊的節(jié)省空間的設(shè)備
電氣系統(tǒng)被組裝在與設(shè)備不同的包裝盒中，使設(shè)備本身更纖薄。（安裝面積：590mm（W） × 2170mm（D））

因此，您可以靈活地安裝它，以適應您的空間。

通過托盤同時形成多個晶圓輸送
小直徑晶圓是可能的。（φ2“×9張、φ3”×5張、φ4“×3張）

此外，通過更改托盤，可以輕松更改晶圓尺寸。

應用示例

可以形成

氮化硅膜、氧化硅膜和非晶硅膜，形成各種硅基薄膜。

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產(chǎn)品名稱：SAMCO等離子CVD設(shè)備 PD-2201LC

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