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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設(shè)備，用于化合物半導(dǎo)體工藝的多片同時(shí)處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（ 工業(yè)堆疊 Plasma）
詳情介紹：
概述
RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設(shè)備，用于化合物半導(dǎo)體工藝的多片同時(shí)處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（ 工業(yè)堆疊 Plasma）。 此設(shè)備支持 ±350mm 大型托盤(pán)。 它配備了新的 ICP 源 HSTC?（海珀系統(tǒng)三元組）電極，該電極是傳統(tǒng)龍卷風(fēng) ICP 的開(kāi)發(fā)，可在大面積上實(shí)現(xiàn)出色的均勻性蝕刻。
特點(diǎn)
? 支持 350mm 大托盤(pán)
可同時(shí)處理 3 個(gè)晶圓，× 4“×8 和 6”。
采用新的 ICP 源“HSTC?”
對(duì)于大面積，我們實(shí)現(xiàn)了出色的均勻性蝕刻。
應(yīng)用示例
GaN 的垂直蝕刻和反向錐形蝕刻
?PSS （Patterned Sapphire Substrate） 加工
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