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OTSUKA大冢- 多檢體納米粒子直徑測量系統(tǒng)
nanoSAQLA是由動態(tài)光散射法（DLS法）的粒子直徑測量（粒子徑0.6nm～10μm）裝置。
還搭載了各種各樣追求品質(zhì)管理的需求的功能。
在稀薄～濃厚系為止在廣濃度范圍內(nèi)實現(xiàn)了多檢體測量對應(yīng)的新光學(xué)系，用拉布必須的輕量·小型化，標(biāo)準(zhǔn)1分的高速測量。
另外，不受非浸染型的調(diào)諧器的影響，沒有自動取景器的“5檢體連續(xù)測量”的標(biāo)準(zhǔn)裝備了新產(chǎn)品。
OTSUKA大冢- 多檢體納米粒子直徑測量系統(tǒng)nanoSAQLAOTSUKA大冢- 多檢體納米粒子直徑測量系統(tǒng)nanoSAQLAOTSUKA大冢- 多檢體納米粒子直徑測量系統(tǒng)nanoSAQLAOTSUKA大冢- 多檢體納米粒子直徑測量系統(tǒng)nanoSAQLAOTSUKA大冢- 多檢體納米粒子直徑測量系統(tǒng)nanoSAQLA
特長：
1臺簡單地5檢體連續(xù)測量
從稀薄到濃厚的關(guān)系
標(biāo)準(zhǔn)測量時間1分的高速測量
搭載簡單測量功能（一個點擊可以開始測量）
非浸泡型的單元格塊內(nèi)沒有分注的轉(zhuǎn)換器
搭載溫度凹陷功能
- 粒子徑 0.6nm～10μm
- 濃度範(fàn)囲 0.00001～40％
- 溫度範(fàn)囲 0～90℃*
| 型式 | 多検體ナノ粒子徑測定システム |
| 測定原理 | 動的光散亂法 |
| 光源 | 高出力半導(dǎo)體レーザー *1 |
| 検出器 | 高感度APD |
| 連続測定 | 5検體 |
| 測定範(fàn)囲 | 0.6nm ～ 10μm |
| 対応濃度 | 0.00001 ～ 40% *2 |
| 溫度 | 0 ～ 90℃ （溫度グラジエント機能あり） *3 |
| 規(guī)格 |
ISO 22412：2017 準(zhǔn)拠 JIS Z 8828：2013 準(zhǔn)拠 JIS Z 8826：2005 準(zhǔn)拠 |
| サイズ | W240 X D480 X H375 mm |
| 重量 | 約18 kg |
| ソフトウェア | 平均粒子徑解析 （キュムラント法解析） |
|
粒度分布解析 （Marquardt法/NNLS/Contin法/Unimodal法） |
|
| 粒度分布重ね書き | |
| 逆相関関數(shù)?殘差プロット | |
| 粒子徑モニター | |
| 粒子徑表示範(fàn)囲 （0.1 ～ 106 nm） | |
| 分子量計算機能 |
*1 本裝置はレーザーに関する**基準(zhǔn) （JIS C6802）のクラス1に區(qū)分される製品です。
*2 Latex120nm：0.00001 ～ 10％、タウロコール酸：～40%
*3 標(biāo)準(zhǔn)ガラスセルでのバッチ測定の場合。
ディスポセルや連続測定時は 15 ～ 40℃ （溫度グラジエント非対応）
測定例
プリンタ用インクの粒度分布
ポリスチレンラテックス120nm(0.00001%)
タウロコール酸(40％)の粒度分布
2.如有必要,請您留下您的詳細(xì)聯(lián)系方式!
