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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
主要特長(zhǎng)
采用獨(dú)自的平行調(diào)整機(jī)構(gòu),能夠高精度地設(shè)定掩膜與Wafer間的近接間隙。
利用獨(dú)自的高速圖像處理技術(shù),實(shí)現(xiàn)高精度的對(duì)位。
利用圖像處理技術(shù),使預(yù)對(duì)位可對(duì)應(yīng)薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購(gòu)項(xiàng))。
利用獨(dú)自的接觸壓力精密控制機(jī)構(gòu),能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。
通過(guò)Wafer的背面真空吸著方式,實(shí)現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動(dòng)搬送
詳情介紹：
光刻機(jī)介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″
光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊：+/- 1 μm（
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?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要規(guī)格
MA-4000
Wafer尺寸
?2～4″
?4～6″
掩膜尺寸
□5″
□7″
光源
超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量
本體尺寸
W1340 x D1430 x H1900mm
本體重量
1120kg
選購(gòu)項(xiàng)
生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對(duì)位、○□基板兼用
| MA-4000 | |||
|---|---|---|---|
| Wafer尺寸 | ?2～4″ | ?4～6″ | |
| 掩膜尺寸 | □5″ | □7″ | |
| 光源 | 超高壓水銀燈：500W or 1kW | ||
| 外觀尺寸及重量 | 本體尺寸 | W1340 x D1430 x H1900mm | |
| 本體重量 | 1120kg | ||
| 選購(gòu)項(xiàng) | 生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對(duì)位、○□基板兼用 | ||
※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽
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