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產(chǎn)品中心
產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:SAMCO ICP蝕刻裝置 RIE-802iPC

  • 產(chǎn)品型號:
  • 產(chǎn)品廠商:SAMCO薩姆肯
  • 產(chǎn)品價格:0
  • 折扣價格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業(yè)塑料廣場)作為放電形式。 該裝置具有兩個反應(yīng)室,提高了區(qū)域生產(chǎn)率,是一種具有出色工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性的正宗生產(chǎn)設(shè)備。
詳情介紹:

概述

高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業(yè)塑料廣場)作為放電形式。 該裝置具有兩個反應(yīng)室,提高了區(qū)域生產(chǎn)率,是一種具有出色工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性的正宗生產(chǎn)設(shè)備。

特點

新型ICP源「HSTC?: Hyper Symmetrical Tornado Coil」

高射頻功率(2 kW 或更高)可高效、穩(wěn)定地應(yīng)用,以實現(xiàn)良好的均勻性。

大流量排氣系統(tǒng)

通過采用與反應(yīng)室直接相連的排氣系統(tǒng),實現(xiàn)了從小流量、低壓區(qū)域到大流量、高壓范圍的各種工藝窗口。

下部電極升降機構(gòu)

優(yōu)化晶圓和等離子體之間的距離,確保良好的平面內(nèi)均勻性。

易于維護的設(shè)計

TMP(渦輪分子泵)和高頻電源單元化,便于更換。

應(yīng)用示例

? 高精度加工化合物半導體,如 GaN、GaAs 和 InP

?高速加工SiC、SiO

? 蝕刻難蝕刻材料,如鐵電體(PZT、BST、SBT、BT)和電極材料(Pt、Au、Ru、Al)

化合物半導體晶圓的等離子切割,薄型化

選項

難蝕刻材料用特殊電極機構(gòu)

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