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OTSUKA大塚OPTM-A1,OPTM-A2,OPTM-A3顯微分光膜厚儀
OTSUKA大塚OPTM-A1,OPTM-A2,OPTM-A3顯微分光膜厚儀
OTSUKA大塚主要銷售用于光學(xué)特性評(píng)價(jià)?檢查的裝置。其裝置用于在LED、 OLED、汽車前燈等的光源?照明產(chǎn)業(yè)以及液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等平板顯示產(chǎn)業(yè)以及其相 關(guān)材料的光學(xué)特性評(píng)價(jià)?檢查。歡迎新老客戶來電咨詢！
OTSUKA大塚產(chǎn)品特點(diǎn)膜厚測量中必要的功能集中于頭部。通過顯微分光高精度測量絕i對(duì)反射率（多層膜厚、光學(xué)常數(shù)）。1點(diǎn)只需不到1秒的高速tact。實(shí)現(xiàn)了顯微下廣測量波長范圍的光學(xué)系（紫外～近紅外）。OTSUKA大塚通過區(qū)域傳感器控制的**構(gòu)造。搭載可私人定制測量順序的強(qiáng)大功能。即便是沒有經(jīng)驗(yàn)的人也可輕松解析光學(xué)常數(shù)。各種私人定制對(duì)應(yīng)（固定平臺(tái)，OTSUKA大塚OPTM，有嵌入式測試頭式樣）。
OTSUKA大塚頭部集成了薄膜厚度測量所需功能
通過顯微光譜法測量高精度**反射率（多層膜厚度，光學(xué)常數(shù)）
1點(diǎn)1秒高速測量
OTSUKA大塚顯微分光下廣范圍的光學(xué)系統(tǒng)（紫外至近紅外）
區(qū)域傳感器的**機(jī)制
易于分析向?qū)?，初學(xué)者也能夠進(jìn)行光學(xué)常數(shù)分析
獨(dú)立測量頭對(duì)應(yīng)各種inline客制化需求
支持各種自定義
OTSUKA大塚OPTM-A1,OPTM-A2,OPTM-A3顯微分光膜厚儀
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OTSUKA大塚OPTM-A1 | OTSUKA大塚OPTM-A2 | OTSUKA大塚OPTM-A3 |
|---|---|---|---|
| 波長范圍 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范圍 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 測定時(shí)間 | 1秒 / 1點(diǎn) | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小約5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規(guī)格 | 氘燈+鹵素?zé)? | 鹵素?zé)?/span> | |
| 電源規(guī)格 | AC100V±10V 750VA（自動(dòng)樣品臺(tái)規(guī)格） | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自動(dòng)樣品臺(tái)規(guī)格之主體部分) | ||
| 重量 | 約 55kg（自動(dòng)樣品臺(tái)規(guī)格之主體部分） | ||
OTSUKA大塚OPTM-A1,OPTM-A2,OPTM-A3顯微分光膜厚儀測量項(xiàng)目：
**反射率測量
多層膜解析
光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光系數(shù)）
OTSUKA大塚OPTM-A1,OPTM-A2,OPTM-A3顯微分光膜厚儀測量示例：
SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
OTSUKA大塚半導(dǎo)體晶體管通過控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來發(fā)送信號(hào)，但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 OTSUKA大塚為了絕緣膜的性能和**的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。
OTSUKA大塚OPTM-A1,OPTM-A2,OPTM-A3顯微分光膜厚儀,OTSUKA大塚OPTM-A1,OTSUKA大塚OPTM-A2,OTSUKA大塚OPTM-A3顯微分光膜厚儀,
